高次谐波干扰：高次谐波重要来自整流部分调压时可控硅产生的毛刺电压，会严重污染电网，导致其他设备无法正常工作，而节能型IGBT晶体管中频电源的整流部分采取半可控整流方法，直流电压始终工作在*高，不调导通角，所以它不会产生高次谐波，不会污染电网、变压器，开关不发烧，不会干扰工厂内其他电子设备运行。

　　炉品热损掉小，因为节能型IGBT晶体管中频电源比一致功率可控硅中频电源一炉可快15分钟阁下，15分钟的时光内炉口损掉的热量可占全部过程的3%，所以此部分比可控硅中频可节能3%阁下。

　　功率因数高，功率因数始终大年夜于0.98，无功损耗小，此部分比可控硅中频电源节能3%-5%。因为节能型IGBT晶体管中频电源采取了半可控整流方法，整流部分不调可控硅导通角，所以全部工作过程功率因数始终大年夜于0.98，无功率损耗小。

　　恒功率输出：可控硅中频电源采取调压调功，而节能型IGBT晶体管中频电源采取调频调功，它不受炉料若干和炉衬厚薄的影响，在全部熔炼过程中保持恒功率输出，尤其是临盆不锈钢、铜、铝等不导磁物质时，更显示它的*性，熔化速度快，炉料元素烧损少，降低锻造成本。

　　IGBT中频电源为一种恒功率输出电源，加少量料即可达到满功率输出，并且始终保持不变，所以熔化速度快；因逆变部分采取串联谐振，且逆变电压高，所有IGBT中频比通俗可控硅中频节能；IGBT中频采取调频调功，整流部分采取全桥整流，电感和电容滤波，且一向工作在500V，所以IGBT中频产生高次谐波小，对电网产生污染工低。

　　节能型IGBT晶体管中频电源比传统可控硅并联中频电源可节能15%-25%,节能的重要原因有以下几下方面：逆变电压高，电流小，线路损耗小，此部分可节能15%阁下，节能型IGBT晶体管中频电源逆变电压为2800V，而传统可控硅中频电源逆变电压仅为750V，电流小了近4倍，线路损耗大年夜大年夜降低。

　　人们在制造IGBT中频电源时采取了高新技巧， 所以它是一种新型的设备，具有广阔的成长前程。IGBT中频电源在应用的过程中耗能很低，十分的节约能源，并且它在临盆不锈钢等产品时，具有较快的熔化速度，临盆效力很高。